کنترل و کاهش جریان نشتی در مدارهای دیجیتال cmos با تکنولوژی dsm بمنظور کاهش مصرف توان
پایان نامه
- وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه شاهد
- نویسنده منا کارگر
- استاد راهنما محمد باقر غزنوی قوشچی
- تعداد صفحات: ۱۵ صفحه ی اول
- سال انتشار 1389
چکیده
عملکرد منطقی پر سرعت با مصرف توان پایین عنصر کلیدی انواع میکروپروسسورها، ابرکامپیوترها، ارتباطات دوربرد و پردازش سیگنالهای دیجیتال است. از آنجاییکه مدارات دینامیک در مقایسه با مدارات cmos استاتیک مرسوم دارای سرعت سوئیچینگ بالاتری بوده و مساحت کمتری را مصرف مینمایند، کاربرد وسیعی در مدارات vlsi پیدا کردهاند. جهت دستیابی به سرعت عملکردی بالای مدار با توان مصرفی پایین، از میان ساختارهای مختلف دینامیک ساختار anl که با داشتن طبقه latch در هر سلول خود آماده خطلولهای شدن است، مناسبترین گزینه است. اما ساختارهای مختلف anl بدلیل مشکل race problem دارای glitch در سیگنال خروجی هستند. در این پایاننامه دو ساختار با نامهای tpanl و tpsanl ارائه شده است که با استفاده از کلاک دو فاز غیر همپوشان قادر به حذف glitch خروجی هستند. بهبود سرعت عملکردی در ساختار tpanl بدلیل کاهش ظرفیت خازنی گره ارزیابی مدار است و این ساختار میتواند در هر دو ناحیه وارونگی شدید و زیرآستانه عملکرد صحیح با توان مصرفی کمتر نسبت به دیگر ساختارهای anl داشته باشد. ساختار پیشنهادی tpsanl نیز در ناحیه زیرآستانه میتواند باعث افزایش ماکزیمم فرکانس کاری مدار شود. علیرغم ساختار خطلولهای غیرمعکوسکننده/معکوسکننده در منطق anl، هر دو منطق پیشنهادی tpanl و tpsanl بر اساس ساختار خطلولهای غیرمعکوسکننده/غیرمعکوسکننده استوار هستند و بههمین دلیل مشکل افت ولتاژ روی ترانزیستورهای nmos بلوک معکوسکننده در ناحیه زیرآستانه را برطرف مینمایند. علاوهبراین، برای پیادهسازی جمعکننده cla، یک ساختار درختی جدید پیشنهاد شده است که باعث کاهش طبقات تأخیر مورد نیاز میشود. در این پایاننامه انواع منابع مصرف توان و روشهای کاهش آنها در مدارات دیجیتال مورد بررسی قرار گرفته است. همچنین گیتهای منطقی پایه استاتیک و ساختارهای مختلف مالتیپلکسر دیجیتال پرکاربرد، در نواحی عملکردی وارونگی شدید و زیرآستانه طراحی شده و از نظر جریان و توان نشتی و نیز توان مصرفی متوسط مورد مقایسه قرار گرفتهاند.
منابع مشابه
کاهش توان نشتی مدارهای ناهمگام در تکنولوژی بسیار زیرمیکرون
مشکلات مطرح در سیستم های همگام در مدارهای بسیار مجتمع، طراحی های ناهمگام را به عنوان یکی از نامزدهای روشهای طراحی، در تکنولوژی های آینده مطرح کرده است. در ازای مزایای که با استفاده از طراحی ناهمگام حاصل می شود، تعداد ترانزیستورهای مــدار به شدت افزایــش می یابد. کاهش اندازه تکنولوژی و همچنین افزایش حجم مدارها موجب شده است تا توان نشتی به عنوان بخش مهمی از مجموع توان مصرفی تراشه ها در تکنولوژی ب...
15 صفحه اولیک راهکار جدید برای کاهش جریان نشتی در کلید های CMOS
CMOS switches are one of the main components of today's analog circuits. Among the many types of non-idealities that can affect the performance of the switch, its leakage current is of utmost importance. In order to reduce the leakage current or equally increase the OFF resistance of any switch, a novel technique is presented in this paper. The proposed technique employs the body effect to incr...
متن کاملکاهش مصرف توان در پردازنده های دیجیتالی با تاکید بر جریان و توان نشتی
در سال های اخیر به دلیل افزایش سیستم های قابل حمل که منابع تغذیه ی قابل دسترسی محدودی دارند، مصرف توان به یکی از مفاهیم اساسی در طراحی سیستم ها تبدیل شده است. در تکنولوژی های cmos این مصرف توان به دو بخش توان استاتیکی و توان دینامیکی تقسیم می شود. توان استاتیکی معمولا در مدار های با فشردگی پائین قابل صرفنظر است، اما با مقیاس بندی تکنولوژی و افزایش چگالی ترانزیستورها در تراشه ها، بخش عمده ای از ...
15 صفحه اولیک راهکار جدید برای کاهش جریان نشتی در کلید های cmos
کلیدهای cmos یکی از ساختارهای اصلی و تاثیرگذار مدارهای الکترونیکی به شمار میروند و به طور گسترده در مدارهای آنالوگ کاربرد دارند. یکی از شاخصههای غیر ایدهآل این کلیدها مقاومت حالت خاموش و جریان نشتی معکوس آنها است. به منظورکاهش جریان نشتی کلیدهای ماسفت و در نتیجه آن افزایش مقاومت حالت خاموش کلید، یک روش جدید در این مقاله ارائه شده است. این راهکار با بهره برداری از اثر بدنه و افزایش ولتاژ آست...
متن کاملکاهش نویز فاز و مصرف توان در نوسان سازهای سینوسی فرکانس بالا با تکنولوژی cmos
چکیده ندارد.
15 صفحه اولشبیه سازی و بررسی پارامترهای موثر بر کاهش توان مصرفی در مدارهای ضرب کننده با استفاده از فناوری ترانزیستورهای CNT
در این مقاله، به ارائه یک ضربکننده آنالوگ چهار ربعی مد جریان جدید برپایه ترانزیستور های نانو لوله کربنی میپردازیم. مدارهای مجذورکننده جریان که اخیرا طراحیشده است و آینه جریان، که در ولتاژ تغذیه پایین (1V) کار میکنند، اجزای اساسی در تحقق معادلات ریاضی هستند. در این پژوهش مدار ضربکننده، با استفاده از فناوری CNTFET ،32 نانو متر طراحی میشود و برای معتبر ساختن عملکرد مدار، ضربکننده ارائهشد...
متن کاملمنابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ذخیره در منابع من قبلا به منابع من ذحیره شده{@ msg_add @}
نوع سند: پایان نامه
وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه شاهد
کلمات کلیدی
میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com
copyright © 2015-2023